N-kanaaltransistor IRF640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1300pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: -. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 72A. Kanaaltype: N. Kosten): 430pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 4 v. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 45 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27