N-kanaaltransistor IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanaaltransistor IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.56€
5-49
1.33€
50-99
1.18€
100-199
1.08€
200+
0.94€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 44

N-kanaaltransistor IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.077 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1700pF. Functie: 1.3k Ohms. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaaltype: N. Kosten): 560pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 53 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF540
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
28A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.077 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1700pF
Functie
1.3k Ohms
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaaltype
N
Kosten)
560pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
150W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
11 ns
Td(uit)
53 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
180 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor IRF540