N-kanaaltransistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V

N-kanaaltransistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.34€
5-24
1.13€
25-49
0.99€
50-99
0.89€
100+
0.79€
+25 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 371

N-kanaaltransistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 47.3nC. Aftapstroom: 33A. Afvoerbronspanning: 100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1960pF. Conditionering: tubus. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 1.1K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaaltype: N. Kosten): 250pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 39 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 115 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 140W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF540N
38 parameters
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
23A
ID (T=25°C)
33A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.044 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
47.3nC
Aftapstroom
33A
Afvoerbronspanning
100V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1960pF
Conditionering
tubus
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
1.1K/W
ID s (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaaltype
N
Kosten)
250pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
130W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Td(aan)
11 ns
Td(uit)
39 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
115 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
140W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier