N-kanaaltransistor IRF530N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 920pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 60A. Kanaaltype: N. Kosten): 130pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(aan): 9.2 ns. Td(uit): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 93 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14