N-kanaaltransistor IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.11 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Aantal per doos: 1. Aanval: 80nC. Aftapstroom: 72A. Afvoerbronspanning: 55V. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3210pF. Conditionering: tubus. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. Gebruikt voor: -55...+175°C. Huisvesting thermische weerstand: 1.2K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 290A. Kanaaltype: N. Kosten): 690pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Polariteit: unipolair. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 39 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 130W. Vgs(th) max.: 4 v. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14