N-kanaaltransistor IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2800pF. Functie: Snel schakelen, ultralage weerstand. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 330A. Kanaaltype: N. Kosten): 880pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14