N-kanaaltransistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

N-kanaaltransistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.92€
5-24
1.66€
25-49
1.47€
50-99
1.30€
100+
1.07€
+5 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 41

N-kanaaltransistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.71 Ohms. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 500V. : versterkt. Aantal per doos: 1. Aanval: 13.1nC. Aftapstroom: 5.7A. Afvoerbronspanning: 500V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 962pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 27A. Kanaaltype: N. Kosten): 98pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 178W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spanning: ±30V. Td(aan): 24 ns. Td(uit): 55 ns. Trr-diode (min.): 332ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 178W. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:25

AOD9N50
33 parameters
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Binnendiameter (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.71 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
D-PAK TO-252AA
Spanning Vds(max)
500V
versterkt
Aantal per doos
1
Aanval
13.1nC
Aftapstroom
5.7A
Afvoerbronspanning
500V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
962pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
27A
Kanaaltype
N
Kosten)
98pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
178W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spanning
±30V
Td(aan)
24 ns
Td(uit)
55 ns
Trr-diode (min.)
332ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
178W
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.3V