N-kanaaltransistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-kanaaltransistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.94€
5-49
0.75€
50-99
0.63€
100+
0.55€
Hoeveelheid in voorraad: 2298

N-kanaaltransistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 6m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 951pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 96A. Kanaaltype: N. Kosten): 373pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Zeer lage RDS(aan) bij 10VGS. Td(aan): 6.25 ns. Td(uit): 18.5 ns. Technologie: Nieuwste Trench Power MOSFET-technologie. Trr-diode (min.): 10.2 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.8V. Origineel product van fabrikant: Alpha & Omega Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:25

Technische documentatie (PDF)
AOD518
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
42A
ID (T=25°C)
54A
Idss (max)
5uA
Aan-weerstand Rds Aan
6m Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
951pF
Conditionering
rol
Conditioneringseenheid
2500
Functie
DC/DC-spanningsomvormer
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
96A
Kanaaltype
N
Kosten)
373pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Zeer lage RDS(aan) bij 10VGS
Td(aan)
6.25 ns
Td(uit)
18.5 ns
Technologie
Nieuwste Trench Power MOSFET-technologie
Trr-diode (min.)
10.2 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1.8V
Origineel product van fabrikant
Alpha & Omega Semiconductors