N-kanaaltransistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

N-kanaaltransistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
8.17€
5-9
7.20€
10-14
6.54€
15-29
6.05€
30+
5.29€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 24

N-kanaaltransistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. Binnendiameter (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.21 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3400pF. Functie: Schakelregelaartoepassingen. G-S-bescherming: ja. ID s (min): n/a. Id(imp): 80A. Kanaaltype: N. Kosten): 320pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 130 ns. Td(uit): 280 ns. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (MOS VI). Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:25

Technische documentatie (PDF)
2SK4108
28 parameters
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.21 Ohms
Behuizing
TO-3PN ( 2-16C1B )
Behuizing (volgens datablad)
2-16C1B
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
3400pF
Functie
Schakelregelaartoepassingen
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
80A
Kanaaltype
N
Kosten)
320pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
150W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
130 ns
Td(uit)
280 ns
Technologie
Veldeffecttransistor, MOS-type (MOS VI)
Trr-diode (min.)
1300 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SK4108