N-kanaaltransistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

N-kanaaltransistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
9.61€
5-9
8.75€
10-24
8.23€
25+
7.82€
Hoeveelheid in voorraad: 18

N-kanaaltransistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 2600pF. Functie: Schakelregelaartoepassingen. G-S-bescherming: nee. Id(imp): 80A. Kanaaltype: N. Kosten): 280pF. Markering op de kast: K20J50D. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 100 ns. Td(uit): 150 ns. Technologie: Veldeffect POWER MOS-type (MOSVII). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 1700 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:51

Technische documentatie (PDF)
TK20J50D
29 parameters
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.22 Ohms
Behuizing
TO-3PN ( 2-16C1B )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3P
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
2600pF
Functie
Schakelregelaartoepassingen
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
80A
Kanaaltype
N
Kosten)
280pF
Markering op de kast
K20J50D
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
280W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
100 ns
Td(uit)
150 ns
Technologie
Veldeffect POWER MOS-type (MOSVII)
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
1700 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Toshiba