N-kanaaltransistor 2SK2611, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 900V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2040pF. Functie: High Speed, H.V. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 27A. Kanaaltype: N. Kosten): 190pF. Markering op de kast: K2611. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 60 ns. Td(uit): 95 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 1.6us. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31