N-kanaaltransistor 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V

N-kanaaltransistor 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
8.19€
5-24
7.48€
25-49
6.94€
50+
6.63€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 1

N-kanaaltransistor 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 900V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 690pF. Functie: hoge snelheid. G-S-bescherming: nee. Id(imp): 15A. Kanaaltype: N. Kosten): 120pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 70 ns. Td(uit): 210 ns. Technologie: V-MOS. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 1450 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK2039
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
5A
Idss (max)
300uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.9 Ohms
Behuizing
TO-3PN ( 2-16C1B )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3PN
Spanning Vds(max)
900V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
690pF
Functie
hoge snelheid
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
15A
Kanaaltype
N
Kosten)
120pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
150W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
70 ns
Td(uit)
210 ns
Technologie
V-MOS
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
1450 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SK2039