N-kanaaltransistor 2SK1120, TO-3PN ( 2-16C1B ), 1 kV, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, 2-16C1B, 1000V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 1000V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 4A. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1300pF. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 8A. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. Gewicht: 4.6g. Id(imp): 24A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Kanaaltype: N. Kosten): 180pF. Markering op de kast: K1120. Markering van de fabrikant: K1120. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 3.5V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.5V. RoHS: ja. Spec info: DC-DC-converter en motoraandrijvingstoepassing. Td(aan): 40 ns. Td(uit): 100 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Type transistor: MOSFET. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Vgs(th) min.: 1.5V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31