N-kanaaltransistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

N-kanaaltransistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
8.87€
5-24
8.33€
25-49
7.86€
50-74
7.44€
75+
6.73€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 14

N-kanaaltransistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 900V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. C(inch): 1300pF. Functie: High Speed, tr--25nS tf--20nS. ID s (min): -. Id(imp): 27A. Kanaaltype: N. Kosten): 180pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 40 ns. Td(uit): 100 ns. Technologie: Veldeffecttransistor MOS II.5. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK1358
23 parameters
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
300uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.1 Ohms
Behuizing
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3P
Spanning Vds(max)
900V
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-...+150°C
C(inch)
1300pF
Functie
High Speed, tr--25nS tf--20nS
Id(imp)
27A
Kanaaltype
N
Kosten)
180pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
150W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
40 ns
Td(uit)
100 ns
Technologie
Veldeffecttransistor MOS II.5
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SK1358