N-kanaaltransistor 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-kanaaltransistor 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.75€
5-24
2.46€
25-49
2.26€
50+
2.11€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 7

N-kanaaltransistor 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1400pF. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. Id(imp): 24A. Kanaaltype: N. Kosten): 250pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 4 ns. Td(uit): 8.5 ns. Technologie: V-MOS. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK1117
26 parameters
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
300uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.95 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
1400pF
Functie
N MOSFET-transistor
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
24A
Kanaaltype
N
Kosten)
250pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
100W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
Td(aan)
4 ns
Td(uit)
8.5 ns
Technologie
V-MOS
Trr-diode (min.)
460 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SK1117