IRL3705N

IRL3705N. C(inch): 3600pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 94us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. Binnendiameter (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 37 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 2V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.