Infineon SPU04N60C3 N-Kanaal CoolMOS Vermogens-MOSFET, 650V, 4.5A, TO-251 (I-Pak)

Technische beschrijving van het product (SPU04N60C3):

Drain-Source Spanning Vds(max): 650V. Drain-Source Lekstroom Idss (max): 50uA. Drainstroom Id (T=25°C): 4.5A. Drainstroom Id (T=100°C): 2.8A. On-weerstand Rds On: 0.85 Ohms. Behuizing (volgens datasheet): TO-251 (I-Pak). Behuizing: TO-251 (I-Pak). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Montage/Installatie: Doorsteekmontage voor printplaat. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Ultralage gate-lading, extreme dv/dt-classificatie. Technologie: Cool Mos. Gate-Source-beveiliging: nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 58.5 ns. Drain-Source Lekstroom Idss (min): 0.5uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 6 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 13.5A. Markering op behuizing: 04N60C3. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 2.1V. Ingangscapaciteit C (in): 490pF. Uitgangscapaciteit C (out): 160pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 300 ns. Max. Vermogensdissipatie: 50W. Drain-Source-beveiliging: Zenerdiode. Gate-Source-spanning Vgs: 20V