Infineon SPP11N60C3 N-Kanaal CoolMOS Vermogens-MOSFET, 650V, 11A, TO-220

Technische beschrijving van het product (SPP11N60C3):

Drain-Source Spanning Vds(max): 650V. Drain-Source Lekstroom Idss (max): 100uA. Drainstroom Id (T=25°C): 11A. Drainstroom Id (T=100°C): 7A. On-weerstand Rds On: 0.34 Ohms. Behuizing (volgens datasheet): TO-220. Behuizing: TO-220. RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Montage/Installatie: Doorsteekmontage voor printplaat. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-classificatie, hoge piekbelastbaarheid. Technologie: Cool Mos POWER Transistor. Gate-Source-beveiliging: nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 44 ns. Drain-Source Lekstroom Idss (min): 0.1uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 10 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 33A. Markering op behuizing: 11N60C3. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 2.1V. Ingangscapaciteit C (in): 1200pF. Uitgangscapaciteit C (out): 390pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 400 ns. Max. Vermogensdissipatie: 125W. Drain-Source-beveiliging: Zenerdiode. Gate-Source-spanning Vgs: 20V. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) max.: 3.9V