IKW50N60H3

IKW50N60H3. C(inch): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 130 ns. Diodedrempelspanning: 1.65V. Functie: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Markering op de kast: K50H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 333W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 235 ns. Td(aan): 23 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 19:25.