Hitachi 2SK1296 N-Kanaal MOSFET, 60V, 30A, 0.028 Ohm, TO-220 Behuizing

Technische beschrijving van het product (2SK1296):

Drain-Source Spanning Vds(max): 60V. Drain-Source Lekstroom Idss(max): 30A. Continue Drainstroom Id (T=25°C): 30A. Continue Drainstroom Id (T=100°C): 15A. On-State Weerstand Rds(On): 0.028 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-220. Behuizing: TO-220. RoHS-conform: Ja. Speciale kenmerken: Logisch niveau compatibel. Aantal aansluitingen: 3. Montagetype: Doorsteekmontage. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: N-Kanaal MOSFET. Technologie: V-MOS. Aantal per behuizing: 1. Maximale Dissipatievermogen: 75W.