Hitachi 2SK1170 N-Kanaal MOSFET, 500V, 20A, 0.27 Ohm, TO-3P Behuizing

Technische beschrijving van het product (2SK1170):

Drain-Source Spanning Vds(max): 500V. Drain-Source Lekstroom Idss(max): 250uA. Continue Drainstroom Id (T=25°C): 20A. On-State Weerstand Rds(On): 0.27 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-3P. Behuizing: TO-3P (TO-218 SOT-93). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Speciale kenmerken: High speed switching, low drive current. Aantal aansluitingen: 3. Montagetype: Doorsteekmontage. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: N-Kanaal MOSFET. Technologie: V-MOS. Gate-Source Bescherming: Ja. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 200 ns. Inschakelvertragingstijd Td(on): 32 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 80A. Ingangscapaciteit C(in): 2800pF. Uitgangscapaciteit C(out): 780pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 500 ns. Maximale Dissipatievermogen: 120W. Drain-Source Bescherming: Diode. Gate-Source Spanning Vgs: 30V.