Fuji Electric 2SK3530-01MR N-Kanaal Power MOSFET, 800V, 7A, 1.46 Ohm, TO-220F Behuizing

Technische beschrijving van het product (2SK3530-01MR):

Drain-Source Spanning Vds(max): 800V. Drain-Source Lekstroom Idss(max): 250uA. Continue Drainstroom Id (T=25°C): 7A. Continue Drainstroom Id (T=100°C): 7A. On-State Weerstand Rds(On): 1.46 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-220F. Behuizing: TO-220FP. RoHS-conform: Ja. Aantal aansluitingen: 3. Montagetype: Doorsteekmontage. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Schakelende Voeding (SMPS). Technologie: Super FAP-G Serie POWER MOSFET. Gate-Source Bescherming: Nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 40 ns. Drain-Source Lekstroom Idss(min): 25uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 21 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 28A. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 3V. Ingangscapaciteit C(in): 740pF. Uitgangscapaciteit C(out): 105pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 2.3 ns. Maximale Dissipatievermogen: 70W. Drain-Source Bescherming: Ja. Gate-Source Spanning Vgs: 30V. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) max.: 5V.