Fuji Electric 2SK2850 N-MOSFET Transistor, 900V 6A, 1.87 Ohm Rds(on), TO-3P Behuizing, Hogesnelheids

Technische beschrijving van het product (2SK2850):

Spanning Vds(max): 900V. Idss (max): 200uA. ID (T=25°C): 6A. On-weerstand Rds On: 1.87 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-3P. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Montage/installatie: Doorsteekmontage voor printplaten. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Hogesnelheidsschakeling. Technologie: TT-MOSV. G-S Bescherming: nee. Td(off): 110 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 20 ns. Aantal per behuizing: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 950pF. C(out): 140pF. Trr Diode (Min.): 900ns. Pd (Vermogensdissipatie, Max): 125W. Drain-source bescherming: ja. Gate/source spanning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3.5V