Fuji Electric 2SK2647 N-Kanaal MOSFET, 800V, 4A, 3.19 Ohm, TO-220F15 Behuizing

Technische beschrijving van het product (2SK2647):

Drain-Source Spanning Vds(max): 800V. Drain-Source Lekstroom Idss(max): 200uA. Continue Drainstroom Id (T=25°C): 4A. Continue Drainstroom Id (T=100°C): 4A. On-State Weerstand Rds(On): 3.19 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-220F15. Behuizing: TO-220. Aantal aansluitingen: 3. Montagetype: Doorsteekmontage. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Hogesnelheidsschakeling. Technologie: FAP-IIS Serie MOS-FET. Gate-Source Bescherming: Nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 50 ns. Drain-Source Lekstroom Idss(min): 10uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 20 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 16A. Behuizingmarkering: K2647. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 3.5V. Ingangscapaciteit C(in): 450pF. Uitgangscapaciteit C(out): 75pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 450 ns. Maximale Dissipatievermogen: 40W. Drain-Source Bescherming: Diode. Gate-Source Spanning Vgs: 30V. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) max.: 4.5V. Temperatuur: +150°C.