Fuji Electric 2SK2640 N-Kanaal MOSFET, 500V, 10A, 0.73 Ohm, TO-220F15 Behuizing

Technische beschrijving van het product (2SK2640):

Drain-Source Spanning Vds(max): 500V. Drain-Source Lekstroom Idss(max): 200uA. Continue Drainstroom Id (T=25°C): 10A. Continue Drainstroom Id (T=100°C): 10A. On-State Weerstand Rds(On): 0.73 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-220F15. Behuizing: TO-220FP. RoHS-conform: Ja. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Montagetype: Doorsteekmontage. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Hogesnelheidsschakeling. Technologie: FAP-IIS Serie MOS-FET. Gate-Source Bescherming: Nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 70 ns. Drain-Source Lekstroom Idss(min): 10uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 25 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 40A. Behuizingmarkering: K2640. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 3.5V. Ingangscapaciteit C(in): 950pF. Uitgangscapaciteit C(out): 180pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 450 ns. Maximale Dissipatievermogen: 50W. Drain-Source Bescherming: Diode. Gate-Source Spanning Vgs: 30V.