FQT4N20LTF

FQT4N20LTF. C(inch): 240pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 3.4A. Binnendiameter (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 7 ns. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Kosten): 36pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 01:25.