N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF8N80C

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF8N80C. N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.29 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1580pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 690 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. G-S-bescherming: NINCS. Productiedatum: 201432. Id(imp): 32A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 59W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 25/07/2025, 16:25.