FQPF8N80C

FQPF8N80C. C(inch): 1580pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 690 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Productiedatum: 201432. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 59W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 14:25.