Fototransistoren en fotodiodes (ontvangend)

RoHS: ja. Componentfamilie: Fototransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Dominante golflengte [nm]: 850nm. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±55°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 9us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 9us. Buitendiameter [mm]: 4.3mm. Buitenlengte [mm]: 5.5mm. Buitenbreedte [mm]: 5.5mm. Externe dikte [mm]: 3.6mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +80°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PIN-fotodiode. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 4.65x4.3mm. Behuizing (JEDEC-standaard): 5.08mm. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 925nm. Sluitspanning Ur[V], max.: 60V. Maakstroom, donkerstroom Ir [µA]: 30nA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±65°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 100 ns. Buitenlengte [mm]: 4.65mm. Buitenbreedte [mm]: 4.3mm. Externe dikte [mm]: 2mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PIN-fotodiode. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 5mm (T-1 3/4). Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 940nm. Sluitspanning Ur[V], max.: 60V. Maakstroom, donkerstroom Ir [µA]: 5nA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±20°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 2.5 ns. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 2.5 ns. Buitendiameter [mm]: 5mm. Buitenlengte [mm]: 8.6mm. Buitenbreedte [mm]: 5.75mm. Externe dikte [mm]: 5.75mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

Golflengte (dominant): 850nm. RoHS: ja. Kleur: infrarood. Let op: 850nm 15°. Let op: LED 5mm. Let op: infrarood fototransistor. Let op: 850nm, 1nA, 70V, 50mA, 150mW

RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): 930nm 15°. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Componentfamilie: Fototransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 5mm (T-1 3/4). Dominante golflengte [nm]: 930nm. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 70V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±15°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 6us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 5us. Buitendiameter [mm]: 5mm. Buitenlengte [mm]: 8.6mm. Buitenbreedte [mm]: 5.75mm. Externe dikte [mm]: 5.75mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Fototransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 1.8mm (T-3/4). Behuizing (JEDEC-standaard): 50mA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Dominante golflengte [nm]: 825nm. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±12°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 4.8us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 5us. Buitendiameter [mm]: 1.8mm. Buitenlengte [mm]: 3.3mm. Aantal aansluitingen: 2. Buitenbreedte [mm]: 2.4mm. Externe dikte [mm]: 3.4mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PN-fotodiode. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-5. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 565nm. Sluitspanning Ur[V], max.: 10V. Maakstroom, donkerstroom Ir [µA]: 30nA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±50°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 3.1us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 3.0us. Buitendiameter [mm]: 8.13mm. Buitenlengte [mm]: 9.1mm. Buitenbreedte [mm]: 9.1mm. Externe dikte [mm]: 3.1mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PIN-fotodiode. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 4.65x4.3mm. Behuizing (JEDEC-standaard): ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 900nm. Sluitspanning Ur[V], max.: 60V. Maakstroom, donkerstroom Ir [µA]: 30nA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±65°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 100 ns. Buitenlengte [mm]: 4.65mm. Buitenbreedte [mm]: 4.3mm. Externe dikte [mm]: 2mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PIN-fotodiode. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 4.65x4.3mm. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 900nm. Sluitspanning Ur[V], max.: 60V. Maakstroom, donkerstroom Ir [µA]: 30nA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±65°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 100 ns. Buitenlengte [mm]: 4.65mm. Buitenbreedte [mm]: 4.3mm. Externe dikte [mm]: 2mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PIN-fotodiode. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): 215mW. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 950nm. Sluitspanning Ur[V], max.: 60V. Maakstroom, donkerstroom Ir [µA]: 30nA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±65°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 100 ns. Buitenlengte [mm]: 5mm. Buitenbreedte [mm]: 4mm. Externe dikte [mm]: 6.8mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Fototransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Dominante golflengte [nm]: 850nm. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 70V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±10°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 6us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 5us. Buitendiameter [mm]: 4.69mm. Buitenlengte [mm]: 6.15mm. Buitenbreedte [mm]: 5.5mm. Externe dikte [mm]: 5.5mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Fototransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 5mm (T-1 3/4). Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 850nm. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 70V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±20°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 2us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 2.3us. Buitendiameter [mm]: 5mm. Buitenlengte [mm]: 8.6mm. Buitenbreedte [mm]: 5.75mm. Externe dikte [mm]: 5.75mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

Kijkhoek: 20°. Golflengte (dominant): 850nm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. VECO: 5V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: infrarood 850 nm, 200, 180 MHz. Let op: VCEO 70V, VECO 5V, IC 50mA. Let op: ontvangerzijde

RoHS: ja. Componentfamilie: Fototransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing (JEDEC-standaard): fototransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 850nm. Behuizing: 2.4x2.4mm. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±18°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 6us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 6us. Buitenlengte [mm]: 2.4mm. Buitenbreedte [mm]: 2.4mm. Externe dikte [mm]: 3.6mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +80°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Fototransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Dominante golflengte [nm]: 830nm. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±8°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 9us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 9us. Buitendiameter [mm]: 4.8mm. Buitenlengte [mm]: 5.4mm. Buitenbreedte [mm]: 5.6mm. Externe dikte [mm]: 5.6mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

Componentfamilie: infrarood fototransistor. Golflengte: 900nm. Diameter: 3 mm. Lenstype: transparant. Detectie hoek: 30°

Kijkhoek: 30°. Materiaal: transparant blauw. Kanaaltype: N. Diversen: infrarood fototransistor (ontvanger). Functie: NPN-fototransistor. Golflengte (dominant): 940nm. Collectorstroom: 3mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Kleur: infrarood. Tf (type): 15us. Behuizing: LED 5mm. Behuizing (volgens datablad): cilindrisch convex T-1 3/4. Tr: 15 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+85°C. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. VECO: 5V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: blauwe transparante lens

Golflengte (dominant): 940nm. Collectorstroom: 3mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Kleur: infrarood. Tf (type): 15us. Behuizing: LED 5mm. Behuizing (volgens datablad): cilindrisch convex T-1 3/4. Tr: 15us. Bedrijfstemperatuur: -40...+85°C. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. VECO: 5V. Componentfamilie: infrarood fototransistor. Golflengte: 940nm. Diameter: 5mm. Lenstype: transparant. Detectie hoek: 30°. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: transparante lens

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Kleur: infrarood. Tf (type): 15us. Behuizing: LED 3mm. Tr: 15us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -40...+85°C. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. VECO: 5V. Componentfamilie: infrarood fototransistor. Golflengte: 940nm. Diameter: 3 mm. Lenstype: transparant blauw. Detectie hoek: 30°

Componentfamilie: infrarood fototransistor. Golflengte: 940nm. Diameter: 3 mm. Lenstype: transparant. Detectie hoek: 30°

Kijkhoek: 24°. Functie: Fototransistor. Golflengte (dominant): 900nm. Collectorstroom: 15mA. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal aansluitingen: 2

Kijkhoek: 120°. Golflengte (dominant): 950nm. Capaciteit: 72pF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf (type): 20 ns. Behuizing: TO-92. Bedrijfstemperatuur: -40...+100°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. VRRM: 32V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: infrarood diode. Spec info: Korte schakeltijd

Diameter: 5mm. Kijkhoek: 20°. Materiaal: transparant. Eigenschappen: cilindrisch convex. Functie: Silicon PIN Photodiode. Golflengte (dominant): 850nm. Capaciteit: 11pF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150mW°. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: LED 5mm. Tr: 0.005us. Bedrijfstemperatuur: -40...+100°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. VRRM: 20V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Korte schakeltijd

RoHS: ja. Componentfamilie: Fototransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: rechthoekig, 5,08x4,44 mm. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 880nm. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5mA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±25°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 8us. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 8us. Buitenlengte [mm]: 5.08mm. Buitenbreedte [mm]: 4.44mm. Externe dikte [mm]: 2.54mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PIN-fotodiode. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 5mm (T-1 3/4). Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Dominante golflengte [nm]: 850nm. Sluitspanning Ur[V], max.: 20V. Maakstroom, donkerstroom Ir [µA]: 5nA. Halve detectiehoek δ 1/2 [°]: ±20°. Inschakeltijd tr [µsec.]: 5 ns. Uitschakelvertraging tf [µsec.]: 5 ns. Buitendiameter [mm]: 5mm. Buitenlengte [mm]: 9mm. Buitenbreedte [mm]: 5.1mm. Externe dikte [mm]: 5.1mm. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C