BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Behuizing: 12.7k Ohms. Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Behuizing (volgens datablad): SOD-80C. VRRM: 30 v. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Cj: 10pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Drempelspanning Vf (max): 0.8V. Drempelspanning: 320mV. Functie: Glas snel schakelende Schottky-barrièrediodes. Geleidingsspanning (drempelspanning): 0.8V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Halfgeleiderstructuur: diode. MRI (max.): 2uA. Max omgekeerde spanning: 30V. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Pulsstroom Max.: 5A. Rijstroom: 200mA. RoHS: ja. Soort diode: Schottky gelijkrichterdiode. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Trr-diode (min.): 5 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.24V. Origineel product van fabrikant: Taiwan Semiconductor. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 18:01