Advanced Power AP4506GEH Duale N&P-Kanaal Power MOSFET 30V 9A/8A D-PAK SMD

Technische beschrijving van het product (AP4506GEH):

N&P-MOSFET Duale Transistor AP4506GEH. Kanaaltype: N-P. Aantal per behuizing: 2 stuks. Info1: Rds(on) N::0.024R P::0.036R. Info2: ID(AV)::N::9A P::8A. Info3: Vdss::N::30V P::-30V. Aantal pinnen: 4 stuks. Vermogensdissipatie (Pd): 3.1 W. ROHS: Ja. Montage: Opbouw (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK (TO-252). Behuizing (volgens datasheet): TO-252-4L (DPAK) (SOT428). Bedrijfstemperatuur: -55...+150 °C.