N-kanaaltransistor, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530

N-kanaaltransistor, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530. N-kanaaltransistor, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 1mA. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): 2-21F1B. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 900pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: NINCS. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Toepassing met hoogvermogenversterker. G-S-bescherming: NINCS. Markering op de kast: K1530. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffect Silicium N-kanaal MOS-type. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.8V. Origineel product van fabrikant Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/06/2025, 15:25.