Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01€ | 1.22€ |
5 - 9 | 0.95€ | 1.15€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.09€ |
25 - 49 | 0.85€ | 1.03€ |
50 - 71 | 0.83€ | 1.00€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01€ | 1.22€ |
5 - 9 | 0.95€ | 1.15€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.09€ |
25 - 49 | 0.85€ | 1.03€ |
50 - 71 | 0.83€ | 1.00€ |
2SD667. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Let op: 9mm. Markering op de kast: D667. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB647. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 22:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.