2N5109

Hoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW
1 - 1	6.58€	7.96€
2 - 2	6.25€	7.56€
3 - 4	5.92€	7.16€
5 - 9	5.59€	6.76€
10 - 19	5.46€	6.61€
20 - 23	5.33€	6.45€

Hoeveelheid	U.P
1 - 1	6.58€	7.96€
2 - 2	6.25€	7.56€
3 - 4	5.92€	7.16€
5 - 9	5.59€	6.76€
10 - 19	5.46€	6.61€
20 - 23	5.33€	6.45€

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Hoeveelheid in voorraad : 23

Set van 1

2N5109. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1.2GHz. Maximale hFE-versterking: 210. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 0.4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Vebo: 3V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 11:25.

Technische documentatie

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Per email

Verkoopvoorwaarden

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!