1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Voorwaartse stroom (AV): 0.15A. Behuizing (JEDEC-standaard): -. IFSM: 0.45A. Doorlaatstroom [A]: 0.3A. Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 100V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal aansluitingen: 2. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Cj: 4pF. Componentfamilie: Siliciumdiode met klein signaal. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ifsm [A]: 2A. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 25nA..5uA. MRI (max.): 5uA. MRI (min): 25nA. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 4 ns. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 100V. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Trr-diode (min.): 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA. Origineel product van fabrikant: Taiwan Semiconductor. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/02/2026, 02:42