Zener-diodes

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 3.6V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5227B, BZX79C3V6, ZPD3.6. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 3.9V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5228B, BZX79C3V9, ZPD3.9. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Zener-spanning: 43V. Behuizing: DO-35. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 47V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 4.3V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5229B, BZX79C4V3, ZPD4.3. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 4.7V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5230B, BZX79C4V7, ZPD4.7. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 51V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 5.1V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. MRI (max.): 0.1uA. Equivalenten: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 5.6V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 62V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 6.2V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. MRI (max.): 0.1uA. Equivalenten: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 6.8V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 7.5V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 8.2V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 9.1V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. MRI (max.): 2uA. MRI (min): 0.1uA. Equivalenten: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V

Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Componentfamilie: zenerdiode, SMD-montage, max, 250mW. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Zener-spanning: 62V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 3. Afmetingen: 2.9x1.5mm. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Zener-spanning: 10V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SI-Z SMD. Markering op de kast: Z9. RoHS: ja. Hoogte: 2.9x1.5mm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Zener-spanning: 11V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Hoogte: 2.9x1.5mm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 11V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Componentfamilie: zenerdiode, SMD-montage, max, 250mW. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 12V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zener-spanning: 12V. RoHS: ja. Componentfamilie: zenerdiode, SMD-montage, max, 250mW. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 5mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. VRRM: 12V

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Zener-spanning: 15V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: Y4*. Equivalenten: BZX84-C15.215. Aantal aansluitingen: 3. Afmetingen: 2.9x1.5mm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zener-spanning: 18V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SI-Z SMD. Markering op de kast: Y6. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. VRRM: 18V

Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 18V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. RoHS: ja. Componentfamilie: 350 mW (0,35 W) zenerdiode Opbouwcomponent (SMD). Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 12.6V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 45 Ohms @ 5mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 24V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Componentfamilie: zenerdiode, SMD-montage, max, 250mW. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 16.8V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C