Zener-diodes

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 3.3V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5227B, BZX79C3V6, ZPD3.6. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 3.6V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5228B, BZX79C3V9, ZPD3.9. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 3.9V

Zener-spanning: 43V. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W. Behuizing: DO-35

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 47V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5229B, BZX79C4V3, ZPD4.3. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 4.3V

Zener-spanning: 4.7V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5230B, BZX79C4V7, ZPD4.7. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 51V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. MRI (max.): 0.1uA. Equivalenten: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Zener-spanning: 5.1V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 5.6V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 62V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. MRI (max.): 0.1uA. Equivalenten: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Zener-spanning: 6.2V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 6.8V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 7.5V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 8.2V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. MRI (max.): 2uA. MRI (min): 0.1uA. Equivalenten: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V. Zener-spanning: 9.1V

RoHS: ja. Componentfamilie: zenerdiode, SMD-montage, max, 250mW. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 5.1V. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. Afmetingen: 2.9x1.5mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 62V. Aantal aansluitingen: 3

Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: Z9. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. RoHS: ja. Hoogte: 2.9x1.5mm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Zener-spanning: 10V. Let op: SI-Z SMD

Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. RoHS: ja. Hoogte: 2.9x1.5mm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Zener-spanning: 11V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: zenerdiode, SMD-montage, max, 250mW. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 11V. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: zenerdiode, SMD-montage, max, 250mW. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 12V. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 5mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. VRRM: 12V. Zener-spanning: 12V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Conditionering: rol. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: Y4*. Equivalenten: BZX84-C15.215. Afmetingen: 2.9x1.5mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Tolerantie: 5%. Zener-spanning: 15V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 3000

Conditionering: rol. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SI-Z SMD. Markering op de kast: Y6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. VRRM: 18V. Zener-spanning: 18V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 3000

RoHS: ja. Componentfamilie: 350 mW (0,35 W) zenerdiode Opbouwcomponent (SMD). Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 18V. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 12.6V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 45 Ohms @ 5mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C