Zener-diodes

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 68V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%. VRRM: 68V

Zener-spanning: 6.2V. Behuizing: DO-35. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W

Zener-spanning: 6.8V. Behuizing: DO-35. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W

Zener-spanning: 7.5V. Behuizing: DO-35. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W

Zener-spanning: 8.2V. Behuizing: DO-35. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W

Zener-spanning: 9.1V. Behuizing: DO-35. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-35. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Behuizing (JEDEC-standaard): 2. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 0,5W (25°C), 5%. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 0.2uA @ 7V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

Zener-spanning: 11V. Behuizing: DO-35. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 12V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. MRI (max.): 2uA. MRI (min): 0.1uA. Equivalenten: 1N5242B, BZX79C12, ZPD12. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 13V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5243B, BZX79C13, ZPD13. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Zener-spanning: 15V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5245B, BZX79C15, ZPD15. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 16V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 10000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 18V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Voorwaartse stroom (AV): 250mA. Equivalenten: 1N5248B, BZX55C15, ZPD18. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 0.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V

Zener-spanning: 20V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Equivalenten: 1N968BRL, 1N5250B, BZX79C20, ZPD20. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 22V. Conditioneringseenheid: 10000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. MRI (max.): 2uA. MRI (min): 0.1uA. Equivalenten: 1N5251B, BZX79C22, ZPD22. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 24V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Equivalenten: 1N5252B, BZX55C24, ZPD24. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 27V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Glazen Silicium Zenerdiode . MRI (max.): 0.1uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 2.4V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Equivalenten: 1N5221B, BZX79C2V4, ZPD2.4. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 2.7V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 30 v. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5256B, BZX55C30, ZPD30. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Zener-spanning: 33V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5257B, BZX79C33, ZPD33. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 36V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: BZX79-C36, ZPD36, BZX55C36. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Zener-spanning: 39V. Behuizing: DO-35. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 0.5W

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 3V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%

Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Zener-spanning: 3.3V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zenerdiode. Equivalenten: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tolerantie: 5%