Zener-diodes

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-15. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 39V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 47V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 47V

Behuizing: DO-41. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 5.6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-41. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 56V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: DO-41. Zener-spanning: 6.2V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: ja. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 6.2V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 6.2V

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 62V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 62V

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-15. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 68V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 7.5V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Behuizing: DO-41. Zener-spanning: 8.2V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). VRRM: 8.2V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-41. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 82V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 9.1V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 9.1V