Op voorraad
Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B N-Kanaal Power MOSFET 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm TO-263 (
Productreferentie : YJB110G10B
Volumekorting — Bespaar bij aankoop van meerdere artikelen
| Hoeveelheid | Eenheidsprijs | Redden |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.25 € | — |
| 5 – 9 | 1.89 € | -16% |
| 10 – 19 | 1.75 € | -22% |
| 20 – 49 | 1.63 € | -28% |
| 50 – 99 | 1.53 € | -32% |
| 100 – 799 | 1.50 € | -33% |
| 800+Beste prijs | 1.49 € | -34% |
Technische specificaties
6 parameters| Parameter | Waarde |
| Type | MOSFET |
| Spanning | 100 V |
| Stroom | 110.0 A |
| Behuizing | TO-263 |
| Weerstand (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Technische beschrijving van het product (YJB110G10B):
De YJB110G10B is een hoogwaardige MOSFET, gefabriceerd door Yangjie Electronic Technology. Deze (YET) N-POWERFET beschikt over 100V, 110A en een Rds(on) van 0.0052 Ohm, ingekapseld in een TO-263 (D2PAK) behuizing. Het is geschikt voor energiebeheer, DC-DC-omvormers en motorbesturingstoepassingen.<br><br>