Standaard- en gelijkrichterdiodes

Cj: 50pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 70 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. VRRM: 500V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Cj: 35pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 80A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Tr: 15 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.95V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Equivalenten: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing (volgens datablad): SMA (4.6x2.8 mm). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Conditioneringseenheid: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. Voorwaartse stroom (AV): 12A. IFSM: 265A. MRI (max.): 12mA. RoHS: ja. Montage/installatie: Schroefdraadbevestiging . Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 0.88V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.77V. VRRM: 1200V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Cj: 50pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 600A. MRI (max.): 2mA. MRI (min): 50uA. Equivalenten: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC 3L. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.87V. Spec info: pin-out 60EPUxx 1

Functie: Schottky gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 850A. RoHS: ja. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-2 (TO-220AC). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.72V. VRRM: 100V

Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode met dubbele voeding. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 165A. MRI (max.): 30mA. MRI (min): 50uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-3P. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.71V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.48V. VRRM: 100V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 200V. Let op: kunststof. Let op: 0402-000491. Let op: 50Ap / 10ms