Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 27A. Behuizing: DO-213. Behuizing (volgens datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. Aantal aansluitingen: 2. Conditioneringseenheid: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Voorwaartse stroom (AV): 0.15A. Behuizing: 12.7k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOD-80. VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: IFSM 0.75App/10ms

Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: 063. Doorlaatstroom [A]: 0.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: Kleinsignaaldiode Opbouwmontage (SMD). Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Ifsm [A]: 2A. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1V @ 100mA. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 75V. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 5uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 4 ns. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: SMD 0805. Voorwaartse stroom (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: ja. Cj: 4pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hogesnelheidsdiodes. Andere naam: IN4148. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 25nA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-123. Behuizing (volgens datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode met lage doorlaatspanning, Opbouwmontage (SMD). MRI (max.): 1mA. Markering op de kast: W3U45. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.47V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.33V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-123. Behuizing (volgens datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode met lage doorlaatspanning, Opbouwmontage (SMD). MRI (max.): 1mA. Markering op de kast: W3U60. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.58V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.39V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Voorwaartse stroom (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra fast switching. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Ifsm [A]: 33A. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 1 kV. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 5uA..50uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 75 ns. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1.7V @ 1A

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 70 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 80A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tr: 15 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.95V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.8V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing (volgens datablad): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalenten: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. Aantal aansluitingen: 2. Conditioneringseenheid: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Voorwaartse stroom (AV): 12A. IFSM: 265A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 1200V. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. MRI (max.): 12mA. RoHS: ja. Montage/installatie: Schroefdraadbevestiging . Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 0.88V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.77V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 600A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRI (max.): 2mA. MRI (min): 50uA. Equivalenten: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.87V. Spec info: pin-out 60EPUxx 1

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 850A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. RoHS: ja. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.72V

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 165A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode met dubbele voeding. MRI (max.): 30mA. MRI (min): 50uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.71V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.48V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: kunststof. Let op: 0402-000491. Let op: 50Ap / 10ms