Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 40A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: AXIAL TURBO 2 DIODE. Productiedatum: 201506. MRI (max.): 12uA. MRI (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Behuizing: DO-247. Behuizing (volgens datablad): DO-247. Let op: 2500V isolatie. Let op: hoogspanningsdiode, ultrasnel herstel. Let op: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263. VRRM: 300V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement ultrasnelle diode. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. VRRM: 600V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle hoogspanningsgelijkrichterdiode. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle hoogspanningsgelijkrichterdiode. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 330A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. VRRM: 200V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 22 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement ultrasnelle diode. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: +175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiodes (min 17ns, max 30ns). Markering op de kast: STTH802. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.8V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 27A. Behuizing: DO-213. Behuizing (volgens datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 5000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 27A. Behuizing: DO-213. Behuizing (volgens datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 5000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.25V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 27A. Behuizing: DO-213. Behuizing (volgens datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 5000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 0.15A. Behuizing: 12.7k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOD-80. VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: IFSM 0.75App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: 063. Doorlaatstroom [A]: 0.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: Kleinsignaaldiode Opbouwmontage (SMD). Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Ifsm [A]: 2A. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1V @ 100mA. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 75V. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 5uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 4 ns. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: SMD 0805. Voorwaartse stroom (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: ja. Cj: 4pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hogesnelheidsdiodes. Andere naam: IN4148. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 25nA. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-123. Behuizing (volgens datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode met lage doorlaatspanning, Opbouwmontage (SMD). MRI (max.): 1mA. Markering op de kast: W3U45. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.47V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.33V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-123. Behuizing (volgens datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode met lage doorlaatspanning, Opbouwmontage (SMD). MRI (max.): 1mA. Markering op de kast: W3U60. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.58V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.39V

Voorwaartse stroom (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI-S. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI-S. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI-S. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra fast switching. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI-S. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI-S. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI-S. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI-S. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Ifsm [A]: 33A. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 1 kV. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 5uA..50uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 75 ns. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 70 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V