Standaard- en gelijkrichterdiodes

Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ULTRA FAST DUAL DIODE. Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 110A. MRI (max.): 300uA. MRI (min): 30uA. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ULTRA FAST DUAL DIODE. Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 110A. MRI (max.): 300uA. MRI (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: AXIAL TURBO 2 DIODE. Productiedatum: 201506. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 40A. MRI (max.): 12uA. MRI (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Let op: 2500V isolatie. Let op: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Behuizing: DO-247. Behuizing (volgens datablad): DO-247. Let op: hoogspanningsdiode, ultrasnel herstel

Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement ultrasnelle diode. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle hoogspanningsgelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle hoogspanningsgelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap

RoHS: ja. Behuizing: TO-247. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 22 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement ultrasnelle diode. Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 330A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: +175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 100A. Markering op de kast: STTH802. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FPAC. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiodes (min 17ns, max 30ns). Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Conditionering: rol. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-213. Behuizing (volgens datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Conditionering: rol. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-213. Behuizing (volgens datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-213. Behuizing (volgens datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Conditioneringseenheid: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Halfgeleidermateriaal: Sb. Voorwaartse stroom (AV): 0.15A. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: 12.7k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOD-80. VRRM: 100V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: IFSM 0.75App/10ms

RoHS: ja. Behuizing: SMD 0805. Cj: 4pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hogesnelheidsdiodes. Voorwaartse stroom (AV): 150mA. IFSM: 500mA. Andere naam: IN4148. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 25nA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode met lage doorlaatspanning, Opbouwmontage (SMD). Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. MRI (max.): 1mA. Markering op de kast: W3U45. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOD-123. Behuizing (volgens datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.47V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.33V. VRRM: 45V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode met lage doorlaatspanning, Opbouwmontage (SMD). Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. MRI (max.): 1mA. Markering op de kast: W3U60. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOD-123. Behuizing (volgens datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.58V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.39V. VRRM: 60V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 0.6A. VRRM: 600V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Cj: 50pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra fast switching. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 1 kV. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 5uA..50uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 75 ns. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI-S. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1.7V @ 1A