P-kanaaltransistor STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V

P-kanaaltransistor STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.96€
5-24
1.64€
25-49
1.44€
50-99
1.30€
100+
2.50€
Hoeveelheid in voorraad: 28

P-kanaaltransistor STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 80A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Binnendiameter (T=100°C): 57A. C(inch): 5500pF. Functie: -. G-S-bescherming: nee. Id(imp): 320A. Kanaaltype: P. Kosten): 1130pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(aan): 35 ns. Td(uit): 165 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Sgs Thomson. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58

STP80PF55
27 parameters
ID (T=25°C)
80A
Idss (max)
80A
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
55V
Aan-weerstand Rds Aan
0.016 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
Binnendiameter (T=100°C)
57A
C(inch)
5500pF
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
320A
Kanaaltype
P
Kosten)
1130pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
300W
Poort-/bronspanning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(aan)
35 ns
Td(uit)
165 ns
Technologie
STripFETTM II Power MOSFET
Trr-diode (min.)
110 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Sgs Thomson