P-kanaaltransistor SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (max): 10uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.102 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. Binnendiameter (T=100°C): 13.2A. C(inch): 230pF. Functie: dv/dt gewaardeerd Verbeteringsmodus. G-S-bescherming: diode. ID s (min): 0.1uA. Id(imp): 74.8A. Kanaaltype: P. Kosten): 95pF. Markering op de kast: 18P06P. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 81W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 25 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.7V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 05:54