P-kanaaltransistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v

P-kanaaltransistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.65€
5-49
1.37€
50-99
1.22€
100+
1.07€
Hoeveelheid in voorraad: 2254

P-kanaaltransistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (max): 7.1A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 2. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Kanaaltype: P. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diode (min.): 60 ns. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:07

Technische documentatie (PDF)
SI4925BDY
19 parameters
ID (T=25°C)
7.1A
Idss (max)
7.1A
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
30 v
Aan-weerstand Rds Aan
0.02 Ohms
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
2
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
5.7A
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Kanaaltype
P
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1uA
RoHS
ja
Technologie
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diode (min.)
60 ns
Origineel product van fabrikant
Vishay