P-kanaaltransistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

P-kanaaltransistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.32€
5-49
0.23€
50-99
0.19€
100+
0.17€
Hoeveelheid in voorraad: 2713

P-kanaaltransistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (max): 5nA. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): TSOP-6. Spanning Vds(max): 20V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Aantal aansluitingen: 6. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 1.95A. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1nA. Id(imp): 16A. Kanaaltype: P. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1nA. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. RoHS: ja. Td(aan): 15 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.45V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:30

Technische documentatie (PDF)
SI3441BD
26 parameters
ID (T=25°C)
2.45A
Idss (max)
5nA
Behuizing
TSOP
Behuizing (volgens datablad)
TSOP-6
Spanning Vds(max)
20V
Aan-weerstand Rds Aan
0.07 Ohms
Aantal aansluitingen
6
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
1.95A
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1nA
Id(imp)
16A
Kanaaltype
P
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1nA
Poort-/bronspanning Vgs
8V
RoHS
ja
Td(aan)
15 ns
Td(uit)
30 ns
Technologie
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diode (min.)
50 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
0.45V
Origineel product van fabrikant
Vishay