P-kanaaltransistor SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V

P-kanaaltransistor SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-2999
1.48€
3000+
0.99€
Hoeveelheid in voorraad: 8703

P-kanaaltransistor SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1275pF. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: -6A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Markering van de fabrikant: O4. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 20:56

Technische documentatie (PDF)
SI2333DDS-T1-GE3
16 parameters
Behuizing
SOT-23
Afvoerbronspanning Uds [V]
-12V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.023 Ohms @ -5A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
1275pF
Componentfamilie
MOSFET, P-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
-6A
Inschakeltijd ton [nsec.]
26 ns
Markering van de fabrikant
O4
Maximale dissipatie Ptot [W]
2.5W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
-1V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
45 ns
Origineel product van fabrikant
Vishay