P-kanaaltransistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

P-kanaaltransistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.25€
5-24
1.96€
25-49
1.65€
50+
1.45€
Hoeveelheid in voorraad: 751

P-kanaaltransistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. Binnendiameter (T=100°C): 6A. C(inch): 690pF. Functie: Verbetering van logisch niveau. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 32A. Kanaaltype: P. Kosten): 310pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6.7 ns. Td(uit): 19.8 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Niko-semi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:30

Technische documentatie (PDF)
P5504ED
29 parameters
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
10uA
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spanning Vds(max)
40V
Aan-weerstand Rds Aan
0.065 Ohms
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
Binnendiameter (T=100°C)
6A
C(inch)
690pF
Functie
Verbetering van logisch niveau
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
32A
Kanaaltype
P
Kosten)
310pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
28W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
6.7 ns
Td(uit)
19.8 ns
Technologie
Veldeffecttransistor
Trr-diode (min.)
15.5 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Niko-semi