P-kanaaltransistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

P-kanaaltransistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
27.46€
5-9
26.15€
10-19
24.61€
20+
23.20€
Hoeveelheid in voorraad: 22

P-kanaaltransistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Spanning Vds(max): 200V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. Binnendiameter (T=100°C): -. C(inch): 12pF. Functie: P-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 50uA. Id(imp): 270A. Kanaaltype: P. Kosten): 2210pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 890W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 32 ns. Td(uit): 89 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 21:11

Technische documentatie (PDF)
IXTK90P20P
28 parameters
ID (T=25°C)
90A
Idss (max)
250uA
Behuizing
TO-264 ( TOP-3L )
Behuizing (volgens datablad)
TO-264
Spanning Vds(max)
200V
Aan-weerstand Rds Aan
0.044 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
12pF
Functie
P-Channel Enhancement Mode
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
50uA
Id(imp)
270A
Kanaaltype
P
Kosten)
2210pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
890W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
32 ns
Td(uit)
89 ns
Technologie
PolarPTM Power MOSFET
Trr-diode (min.)
315 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
IXYS