P-kanaaltransistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

P-kanaaltransistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.34€
5-49
0.28€
50-99
0.24€
100-199
0.21€
200+
0.17€
Hoeveelheid in voorraad: 275

P-kanaaltransistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 25uA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spanning Vds(max): 20V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.05 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. C(inch): 633pF. Functie: Ultra Low On-Resistance. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 22A. Kanaaltype: P. Kosten): 145pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Td(aan): 350 ns. Td(uit): 588 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 19:38

Technische documentatie (PDF)
IRLML6402
27 parameters
ID (T=25°C)
3.7A
Idss (max)
25uA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Spanning Vds(max)
20V
Aan-weerstand Rds Aan
0.05 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
2.2A
C(inch)
633pF
Functie
Ultra Low On-Resistance
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
22A
Kanaaltype
P
Kosten)
145pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1.3W
Td(aan)
350 ns
Td(uit)
588 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1.2V
Vgs(th) min.
0.4V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier