P-kanaaltransistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

P-kanaaltransistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.13€
5-24
0.96€
25-49
0.85€
50-99
0.77€
100+
0.66€
Hoeveelheid in voorraad: 107

P-kanaaltransistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. C(inch): 350pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 26A. Kanaaltype: P. Kosten): 110pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 28 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 02:45

Technische documentatie (PDF)
IRFR9120N
30 parameters
ID (T=25°C)
6.6A
Idss (max)
250uA
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spanning Vds(max)
100V
Aan-weerstand Rds Aan
0.48 Ohms
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
4.2A
C(inch)
350pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
26A
Kanaaltype
P
Kosten)
110pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
40W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
28 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier