P-kanaaltransistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

P-kanaaltransistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.87€
5-49
0.73€
50-99
0.62€
100-199
0.56€
200+
0.47€
Hoeveelheid in voorraad: 78

P-kanaaltransistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 0.69A. C(inch): 200pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Kanaaltype: P. Kosten): 94pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 02:51

Technische documentatie (PDF)
IRFL9110
28 parameters
ID (T=25°C)
1.1A
Idss (max)
500uA
Behuizing
SOT-223 ( TO-226 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-223
Spanning Vds(max)
100V
Aan-weerstand Rds Aan
1.2 Ohms
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
0.69A
C(inch)
200pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
100uA
Id(imp)
8.8A
Kanaaltype
P
Kosten)
94pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
3.1W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
10 ns
Td(uit)
15 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
80 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Vishay